碳化硅樣品

2015年6月5日-本人研一,做碳化硅的,對其中一個樣品做了能譜,但是不會分析,求過來人幫忙已有2人參與麻煩各位前輩幫忙看看,陶瓷材料剛?cè)胧?謝謝,未標(biāo)明的峰該如何確。

采用激光剝蝕電感耦合等離子體質(zhì)譜法(LA-ICP-MS),以NIST玻璃標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)制作校準(zhǔn)曲線,29Si為內(nèi)標(biāo),相對靈敏度因子(RSF)校準(zhǔn)標(biāo)樣和樣品間的基體效應(yīng),對碳化硅陶瓷器件中。

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碳化硅材料的合成與表征,納米材料;;SiC;;納米線;;多面體;;光致發(fā)光,SiC半導(dǎo)體材料是第三代寬帶隙(WBP)半導(dǎo)體材料。由于具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、。

2014年9月3日-MSCC)宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC)MOSFET和SiC二極管產(chǎn)品組合,包括提供下一代1200V、25mOhm和80mOhmSiCMOSFET器件的樣品,及下一代700V、50。

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碳化硅的化學(xué)分析方法試驗(yàn),,本文對碳化硅樣品的主成分游離碳和碳化硅的化學(xué)分折方法中的灼燒定量法和燃燒定量法進(jìn)行了平行試驗(yàn),針對我公司的具體情況。

2010年7月8日-deadleaf做XRD,六方相和立方相的衍射峰是不同的,然后定量分析。10337做個元素分析,可以看到C/Si,再推測CSix或SEM看看大致分布qint六方和立方衍。

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